企业简介
傲迪特半导体（南京）有限公司
傲迪特半导体（南京）有限公司的工商信息
- 320100400040699
- 91320100663758437A
- 在业
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 2007年10月10日
- 崔峰敏（CHOI BONG MIN）
- 1000万元人民币
- 2007年10月10日 至 2022年10月09日
- 南京市工商行政管理局
- 2016年01月29日
- 南京市栖霞区润华路3号
- 半导体、元器件专用材料开发、生产，销售自产产品；用于生产上述同类产品的原辅材料进出口、批发、佣金代理（拍卖除外）。（以上商品进出口不涉及国营贸易、进出口配额许可证、出口配额招标、出口许可证等专项管理的商品；涉及许可证管理、专项规定管理的商品，按照国家有关规定办理。）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
傲迪特半导体（南京）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104051554B | 光电探测元件及其制作方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种可接收 800~900 nm 波长，且含有可实现小型化及批量生产的带通过滤层的光电探 |
| 2 | CN205428945U | 一种快恢复二极管 | 2016.08.03 | 一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设 |
| 3 | CN205428946U | 一种高压整流二极管 | 2016.08.03 | 一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上 |
| 4 | CN205376554U | 一种硅光电二极管 | 2016.07.06 | 一种硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.56mm×0.44mm，有源区面积0.32mm×0.32mm，厚度 |
| 5 | CN205376553U | 一种微型硅光电二极管 | 2016.07.06 | 一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度 |
| 6 | CN204577430U | 双极型高反压功率晶体管 | 2015.08.19 | 双极型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为7.9mm×7.4mm，低掺杂N型硅集电区上设有长方形的高掺 |
| 7 | CN204538032U | 功率NPN型晶体管 | 2015.08.05 | 功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设 |
| 8 | CN204538049U | 微型硅光电二极管 | 2015.08.05 | 微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN<sup>+</sup>结，硅 |
| 9 | CN204497235U | 小型高反压功率晶体管 | 2015.07.22 | 小型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为1280μm×1280μm，低掺杂N型硅集电区上设有正方形的高 |
| 10 | CN104051554A | 光电探测元件及其制作方法 | 2014.09.17 | 本发明公开了一种可接收800~900nm波长，且含有可实现小型化及批量生产的带通过滤层的光电探测元件 |
| 11 | CN203631561U | 一种高反压双极型功率晶体管 | 2014.06.04 | 一种高反压双极型功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的 |
| 12 | CN203415582U | NPN型功率晶体管 | 2014.01.29 | NPN型功率晶体管，在正方形的第一高掺杂N型硅的基底上设有低掺杂N型硅集电区，集电区的中心区域设有正 |
| 13 | CN203406291U | 双极型功率晶体管 | 2014.01.22 | 双极型功率晶体管，在正方形低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N |
| 14 | CN203406292U | 高反压双极型功率晶体管 | 2014.01.22 | 高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺 |
| 15 | CN203406290U | 高反压功率晶体管 | 2014.01.22 | 高反压功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型 |
| 16 | CN203406311U | 一种硅光电二极管 | 2014.01.22 | 一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层 |
| 17 | CN203406289U | 一种双极型功率晶体管 | 2014.01.22 | 一种双极型功率晶体管，在长宽为2350μm×2350μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂 |
| 18 | CN203406310U | 硅光电二极管 | 2014.01.22 | 硅光电二极管，低掺杂的长方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅 |
| 19 | CN202394984U | 硅光电二极管 | 2012.08.22 | 本实用新型涉及硅光电二极管，目的是提供一种暗电流小、光电转换效率高的硅光电二极管。实现本实用新型目的 |
| 20 | CN202395007U | 紫蓝硅光电二极管 | 2012.08.22 | 本实用新型涉及紫蓝硅光电二极管，目的提供一种工作在430nm-1100nm光谱，暗电流小，光电转换效 |
| 21 | CN202285244U | 用于光电探测的硅光电二极管 | 2012.06.27 | 本实用新型涉及用于光电探测的硅光电二极管，目的是提供一种工作在430nm-1100nm光谱，暗电流小 |
| 22 | CN102376815A | 硅光电二极管及其制造方法 | 2012.03.14 | 本发明涉及硅光电二极管及其制造方法，目的是提供一种暗电流小，光电转换效率高的硅光电二极管及其制造方法 |
| 23 | CN102013436A | 具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器及制造方法 | 2011.04.13 | 本发明涉及具有双向击穿防护功能的低压过电压抑制装置及制造方法。本发明的具有双向击穿防护功能的低电压过 |
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